Samsung anuncia UFS 4.0; afirma tener el doble de rendimiento que UFS 3.1

Samsung ha desarrollado lo que afirma ser la memoria UFS 4.0 de mayor rendimiento de la industria implementando los estándares más nuevos del Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). La nueva solución de almacenamiento tiene un ancho de banda de memoria de 23,2 Gbps/carril, el doble de lo que puede ofrecer el actual UFS 3.1.

El nuevo memoria utiliza V-NAND de séptima generación de Samsung y un controlador propietario, lo que le brinda velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta 4200 MB/s y 2800 MB/s. También es un 46 % más eficiente que UFS 3.1 y mide velocidades de datos de 6 MB/s por miliamperio. Esto significa que la duración de la batería será mejor a pesar del aumento de la velocidad de almacenamiento.

Samsung anuncia UFS 4.0;  afirma tener el doble de rendimiento que UFS 3.1

Si bien las variantes de tamaño llegarán hasta 1 TB, el chip será relativamente compacto con 11 mm x 13 mm x 1 mm. Se espera que la producción comience en el tercer trimestre de 2022. La nueva memoria también recibió la aprobación de la Junta Directiva de JEDEC.

Samsung afirma que la nueva solución es perfecta para teléfonos 5G considerando la cantidad de datos que estos teléfonos podrán descargar y almacenar, gracias a velocidades de Internet más rápidas. La compañía también señala que la nueva memoria debería funcionar bien con AR. Aplicaciones de realidad virtual y automoción en el futuro.

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Sumario rápido

UFS 4.0 tiene un ancho de banda de memoria de 23,2Gbps, el doble que UFS 3.1
El chip tiene velocidades de lectura y escritura secuenciales de 4200 MB/s y 2800 MB/s, respectivamente.
También es un 46% más eficiente energéticamente en comparación con UFS 3.1, transfiriendo a una velocidad de 6 MB/s por mA.

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